اہم فلیش میموری کیا ہیں؟

فلیش ایک میموری چپ ہے، مکمل نام فلیش EEPROM میموری، پروگرام کے ذریعے ڈیٹا کو تبدیل کر سکتا ہے، جسے عام طور پر "فلیش" کہا جاتا ہے۔ اس کی سٹوریج کی خصوصیات، ہارڈ ڈسک کے مساوی، تمام قسم کے پورٹیبل ڈیجیٹل آلات کے لیے سٹوریج میڈیم بننے کے لیے فلیش میموری کی بنیاد ہیں۔ فلیش میموری ROM اور RAM کی طاقتوں کو یکجا کرتی ہے اور اس میں الیکٹرانک ایریز ایبل اور قابل پروگرام کارکردگی ہے، اور بجلی کی خرابی کی وجہ سے ڈیٹا ضائع نہیں ہوتی، اور تیز ڈیٹا پڑھنے کی خصوصیات رکھتی ہے۔ تو فلیش میموری سے متعلق عام کلاسز کیا ہیں؟
SPI اور فلیش SPI کمیونیکیشن پروٹوکول کو اپناتا ہے۔ SPI Nor Flash میں NOR ٹیکنالوجی فلیش میموری کی خصوصیات ہیں، یعنی پروگرام اور ڈیٹا کو ایک ہی چپ پر محفوظ کیا جا سکتا ہے، آزاد ڈیٹا بس اور ایڈریس بس کے ساتھ، اور جلدی اور بے ترتیب طور پر پڑھا جا سکتا ہے۔ سسٹم کو ایگزیکیوشن کے لیے فلیش سے براہ راست کوڈ پڑھنے کی اجازت دیتا ہے۔ سنگل بائٹ یا سنگل ورڈ پروگرامنگ کی جا سکتی ہے، لیکن سنگل بائٹ مٹائی نہیں جا سکتی۔ مٹانے کو سیکٹر میں یا پوری چپ پر کیا جانا چاہیے۔ میموری کو دوبارہ پروگرام کرنے سے پہلے پری پروگرامنگ اور مٹانے کو سیکٹر یا پوری چپ پر کرنا ضروری ہے۔

Parallel Nor Falsh، جسے Parallel Nor Flash کے نام سے بھی جانا جاتا ہے، متوازی انٹرفیس کمیونیکیشن پروٹوکول کا استعمال کرتا ہے، اس میں ایک آزاد ڈیٹا لائن اور ایڈریس بس ہے، یہ NOR ٹیکنالوجی فلیش میموری کی تمام خصوصیات کو بھی ورثے میں رکھتی ہے۔ متوازی انٹرفیس کی وجہ سے۔ SPI Nor Flash کے مقابلے، Parallel Nor Falsh بڑی صلاحیت اور تیز پڑھنے اور لکھنے کی رفتار کو سپورٹ کرتا ہے۔ تاہم، کیونکہ یہ بہت زیادہ ایڈریس لائنوں اور ڈیٹا لائنوں پر قبضہ کرتا ہے، یہ سرکٹ الیکٹرانک ڈیزائن میں بہت سارے وسائل پر قبضہ کرے گا.

متوازی نینڈ فلیش، متوازی انٹرفیس مواصلاتی پروٹوکول کا استعمال کرتے ہوئے، عمل کے عمل میں نند فلیش کو تین اقسام میں تقسیم کیا گیا ہے: ایس ایل سی، ایم ایل سی، ٹی ایل سی۔ Nand Flash ٹیکنالوجی فلیش میموری میں درج ذیل خصوصیات ہیں: پڑھنے اور پروگرام کے آپریشنز صفحات پر کیے جاتے ہیں، اور مٹانے کے آپریشنز بلاکس پر کیے جاتے ہیں۔ اس میں تیز پروگرامنگ اور تیز مٹانے کا کام ہے، اور بلاک مٹانے کا وقت 2ms ہے، جبکہ NOR ٹیکنالوجی کا بلاک مٹانے کا وقت سینکڑوں ms تک پہنچ جاتا ہے۔ چھوٹی چپ کا سائز، چند پن۔
فلیش میموری سب سے اہم سٹوریج آئی سی ہے، بنیادی طور پر NOR فلیش اور NAND فلیش دو اقسام کے لیے۔ سیمی کنڈکٹر میموری چپس کو بنیادی طور پر نان ولیٹائل میموری آئی سی اور وولاٹائل میموری آئی سی میں تقسیم کیا گیا ہے، سب سے مرکزی دھارے میں شامل نان ولیٹائل میموری آئی سی فلیش میموری ہے، اور فلیش کو NOR فلیش اور NAND فلیش دو قسموں میں تقسیم کیا جا سکتا ہے۔

NAND فلیش کو اسٹوریج کے اصول کے مطابق SLC، MLC، TLC اور QLC میں تقسیم کیا گیا ہے، اور اسے ڈھانچے سے 2D اور 3D دو قسموں میں تقسیم کیا جا سکتا ہے۔ فلیش ٹیکنالوجی کو بنیادی طور پر SLC، MLC، TLC اور QLC چار اقسام میں تقسیم کیا گیا ہے، جو مختلف مقامی ڈھانچے کے مطابق ہے، ان چار اقسام کی ٹیکنالوجی کو مزید 2D ڈھانچے اور 3D ڈھانچے کو دو اقسام میں تقسیم کیا جا سکتا ہے۔

SLC NAND میں فی یونٹ سب سے کم ذخیرہ کرنے کی گنجائش ہے، لیکن بہترین کارکردگی بھی۔ SLC NAND میں صرف دو مختلف وولٹیج کی حالتیں ہیں، اس لیے اس کی کارکردگی سب سے زیادہ مستحکم اور طویل ترین زندگی ہے۔ مین اسٹریم NAND فلیش کے مقابلے میں، NOR فلیش میں کم صلاحیت کی کثافت، آہستہ لکھنے کی رفتار، سست مٹانے کی رفتار، اور زیادہ قیمت ہے۔